袁义帆
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袁义帆,副研究员。博士毕业于美国内布拉斯加大学林肯分校,曾任美国普渡大学、罗格斯大学博士后研究员。长期从事氧化物半导体及其在极端环境下的电子器件和类脑计算等方向的研究。曾参与多项国内外重大科研项目,共发表高水平SCI学术论文和会议论文13篇(第一/共一作者7篇),包括 Chemical Reviews, Nature Communications,PNAS 和 ACS Applied Materials & Interfaces 等国际知名学术期刊。担任Progress in Materials Science, The journal of physical chemistry letters等期刊审稿人。Google scholar 或 ORCID:
https://scholar.google.com/citations?hl=en&user=wJDV5c8AAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate
https://orcid.org/0000-0003-3840-8813
欢迎联系交流合作。
研究方向:
微电子器件和类脑计算;质子掺杂;氧化物半导体;铁电材料;离子导体;量子材料。
指导学生:共同学习,共同进步。长期与国内外知名高校和头部企业合作,提供科研就业辅导。每年招收硕士生1-2名,欢迎感兴趣的同学联系我,yifan.yuan@nuaa.edu.cn
综述性论著:
2024 Yuan, Y., Patel, R. K., Banik, S., Reta, T. B., Bisht, R. S., Fong, D. D., ... & Ramanathan, S. Proton Conducting Neuromorphic Materials and Devices. Chemical Reviews, 124(16), 9733-9784.
代表性论著:
2024 Yuan, Y., Kotiuga, M., Park, T. J., Patel, R. K., Ni, Y., Saha, A., ... & Ramanathan, S. Hydrogen-induced tunable remanent polarization in a perovskite nickelate. Nature Communications, 15(1), 4717. [News]
2024 Galloni, A. R., Yuan, Y. (co-first author), Zhu, M., Yu, H., Bisht, R. S., Wu, C. T. M., ... & Milstein, A. D. Neuromorphic one-shot learning utilizing a phase-transition material. Proceedings of the National Academy of Sciences, 121(17), e2318362121. [News] [News] [Prize]
2024 Patel, R. K.,Yuan, Y. (co-first author), Bisht, R. S., Seskar, I., Mandayam, N., & Ramanathan, S. High-speed sensing of RF signals with phase-change materials. Physical Review Applied, 22(1), 014013.
2022 Yuan, Y., Yu, H., Podpirka, A., Ostdiek, P., Srinivasan, R., & Ramanathan, S. Negative Differential Resistance in Oxygen-ion Conductor Yttria-stabilized Zirconia for Extreme Environment Electronics. ACS Applied Materials & Interfaces, 14(35), 40116-40125.
2022 Yuan, Y., Ni, Y., Jiang, X., Yun, Y., Li, J., & Xu, X. Highly oriented organic ferroelectric films with single-crystal-level properties from restrained crystallization. Crystal Growth & Design, 22(4), 2124-2131.
2019 Yuan, Y., Jiang, X., Poddar, S., & Xu, X. Electric-field assisted nucleation processes of croconic acid films. CrystEngComm, 21(48), 7460-7467.
2017.9 -- 2021.5
内布拉斯加大学林肯分校
 材料工程
 博士研究生毕业
 博士学位
2011.9 -- 2014.5
上海材料研究所
 材料科学与工程
 硕士研究生毕业
 硕士学位
2007.9 -- 2011.5
东南大学
 材料科学与工程
 本科
 本科
2024.9 -- 至今
南京航空航天大学 集成电路学院 副研究员
2022.8 -- 2024.1
罗格斯大学 电子与计算机工程系 博士后研究员
2021.8 -- 2022.7
普渡大学 材料工程学院 博士后研究员
2014.8 -- 2016.10
远景科技集团 机械工程师
1. 铁电材料:在低于临界温度时,很多材料拥有永久的电极化,当电场大于矫顽场时,电极化可以发生反转,并出现电滞回线。自从1920发现以来,铁电相关的研究一直在不断突破,包括最近发现的负电容效应,与当前半导体工艺相兼容的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电体,具有低介电损失和100GHz左右的频率调制的(SrTiO3)n−m(BaTiO3)mSrO超晶格铁电体,都激发了很多潜在的应用。
2. 量子材料:强关联材料由于强库伦排斥作用而展现不同寻常的电学和磁学性质,例如二氧化钒(VO2)的金属-绝缘体转变。其电子结构既不是自由电子模型也不是完全的离子模型,而是两者的混合。调控和使用相关的性质可以产生很多的应用,如超导磁体,智能玻璃(VO2),Mott晶体管,非易失性存储器等。
3. 离子导体:在离子导体中,电流是通过离子的运动来实现的,例如可用于燃料电池的固态电解质可以是氧离子或氢离子导体(掺钇的氧化锆或SrCoOx)。相较于纯粹的电子电流,通常离子电流转化为电子电流时,在电极界面处会伴随着电化学反应。
4. 类脑材料、器件、计算:很多材料本身的电学、磁学行为可用于模拟大脑中神经元、突触等的行为特征,这些材料可以制作成不同的器件(忆阻器、忆容器、自旋记忆体等)从而实现基于硬件的人工神经元、突触等。类脑工程的一个重要方面就是,学习大脑地功能方式,使用这些人工器件系统性地构筑人工神经网络,从而实现渴望的计算或学习能力。