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所属单位：自动化学院
发表刊物：中国科技论文
关键字：电力电子;碳化硅;寄生电容;MOSFET;
摘要：为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。
是否译文：否
发表时间：2017-12-08
合写作者：张嫈,朱梓悦,F70206220,付大丰,赵朝会
通讯作者：秦海鸿