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所属单位：自动化学院
发表刊物：南京航空航天大学学报
关键字：碳化硅;MOSFET;短路特性;短路保护;
摘要：为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC MOSFET硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC MOSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC MOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导。
是否译文：否
发表时间：2018-06-15
合写作者：徐克峰,F70206220,董耀文,赵朝会
通讯作者：秦海鸿