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Write-Efficient STT/SOT Hybrid Triple-Level Cell for High-Density MRAM

发布时间:2022-11-30点击次数:

  • 发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
  • 论文类型:期刊论文
  • 文献类型:J
  • 卷号:67
  • 期号:4
  • 页面范围:1460 - 1465
  • ISSN号:1557-9646
  • 是否译文:否
  • 发表时间:2020-01-23
  • 收录刊物:SSCI、SCIE
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