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副研究员硕士生导师
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An Adaptive 3T-3MTJ Memory Cell Design for STT-MRAM-Based LLCs

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发表刊物：IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
论文类型：期刊论文
文献类型：J
卷号：26
期号：3
页面范围：484 - 495
ISSN号：1557-9999
是否译文：否
发表时间：2018-01-05
收录刊物：SSCI、SCIE

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