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氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响

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所属单位：材料科学与技术学院
发表刊物：半导体技术
关键字：AlN薄膜;直流磁控溅射;氮气流量;透过率;光学性能;室温;
摘要：Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅（100）和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm -1 处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300 9 00 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。
是否译文：否
发表时间：2017-01-03
合写作者：杨家乐,邢正伟,蒋晔,李金泽,张三洋,李玉芳
通讯作者：沈鸿烈
发表时间：2017-01-03

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