二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p~+硅层性能的影响
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- 所属单位：材料科学与技术学院
- 发表刊物：材料导报
- 关键字：硼扩散;SiO 2 纳米球;富硼层;均匀性;少子寿命;
- 摘要：为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO 2 纳米球对硼酸源扩散形成p + 硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO 2 纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO 2 纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO 2 纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p + 硅层的性能。
- 是否译文：否
- 发表时间：2017-06-25
- 合写作者：杨楠楠,蒋晔,金磊,李金泽,吴文文,余双龙,杨艳
- 通讯作者：沈鸿烈
- 发表时间：2017-06-25
