Affiliation of Author(s):材料科学与技术学院
Journal:半导体技术
Key Words:AlN薄膜;直流磁控溅射;氮气流量;透过率;光学性能;室温;
Abstract:Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅（100）和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm -1 处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300 9 00 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。
Translation or Not:no
Date of Publication:2017-01-03
Co-author:杨家乐,邢正伟,jz,李金泽,张三洋,Lily
Correspondence Author:shl
Researcher
Supervisor of Doctorate Candidates
Main positions:江苏省真空学会常务理事-江苏省光伏科学与工程协同创新中心副理事长-南京市可再生能源学会副理事长
Other Post:亚太材料科学院院士 (2013年10月)
Gender:Male
Alma Mater:中国科学院上海冶金研究所
Education Level:With Certificate of Graduation for Doctorate Study
Degree:Doctoral Degree in Science
School/Department:College of Material Science and Technology
Discipline:Material Science. Physics
Business Address:南京航空航天大学将军路校区西区材料学院大楼D10-B317
Contact Information:18913854729
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