Affiliation of Author(s):材料科学与技术学院
Journal:材料导报
Key Words:硼扩散;SiO 2 纳米球;富硼层;均匀性;少子寿命;
Abstract:为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO 2 纳米球对硼酸源扩散形成p + 硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO 2 纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO 2 纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO 2 纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p + 硅层的性能。
Translation or Not:no
Date of Publication:2017-06-25
Co-author:杨楠楠,jz,金磊,李金泽,吴文文,余双龙,yangyan
Correspondence Author:shl
Researcher
Supervisor of Doctorate Candidates
Main positions:江苏省真空学会常务理事-江苏省光伏科学与工程协同创新中心副理事长-南京市可再生能源学会副理事长
Other Post:亚太材料科学院院士 (2013年10月)
Gender:Male
Alma Mater:中国科学院上海冶金研究所
Education Level:With Certificate of Graduation for Doctorate Study
Degree:Doctoral Degree in Science
School/Department:College of Material Science and Technology
Discipline:Material Science. Physics
Business Address:南京航空航天大学将军路校区西区材料学院大楼D10-B317
Contact Information:18913854729
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