150keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响
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所属单位：航天学院
发表刊物：原子能科学技术
关键字：GaAs太阳能电池;辐照损伤;COMSOL;少数载流子寿命;
摘要：低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池,以150keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明,150keV质子辐照后电池的量子效率衰减,且基区衰减最严重。光致发光测试结果显示,在3×10 10 、1×10 11 、5×10 11 cm -2 辐照注量下,非辐射复合少数载流子寿命分别为2.22、0.67、0.13ns。基于上述结果,利用多物理场仿真软件COMSOL建立了GaAs的物理模型,对GaAs子电池衰减进行仿真,将实验结果与模拟结果进行对比,两者电学参数的最大相对偏差为7%。仿真结果表明:中国空间站中电池的辐射衰减主要源于内辐射带中的质子,空间站轨道太阳能电池运行5a,在太阳活动极大时,最大功率衰减约为7.6%,太阳活动极小时,最大功率衰减约为13.7%。
是否译文：否
发表时间：2019-05-09
合写作者：颜媛媛,汤晓斌,F70206506
通讯作者：方美华