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所属单位：自动化学院
发表刊物：电源学报
关键字：多芯片功率模块;并联均流;功率模块布局;固态功率控制器;
摘要：针对多芯片功率模块(MCPMs-Multi-Chip Power Modules,MCPMs)从功率模块布局设计角度对SiC(Silicon Carbide)MOSFET的并联均流进行了研究,理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器(Solid State Power Controller,SSPC)为背景,提出了三种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对三种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真,仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响。
是否译文：否
发表时间：2017-08-07
合写作者：马建林,阮立刚
通讯作者：王莉,王莉