标题：
直接敷铜技术中铜箔预氧化层的检测与控制
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所属单位：
材料科学与技术学院
发表刊物：
电子元件与材料
关键字：
直接敷铜法;氧化亚铜;氧化膜厚度;拉曼光谱;氧化增重;吸光度;
摘要：
通过控制氧化的方法对制备敷铜陶瓷基板（DBC基板）的铜层进行预氧化处理。研究了预氧化温度、氧分压对铜箔氧化层物相和厚度的影响,采用拉曼光谱仪测试铜箔氧化膜物相组成,采用紫外-可见分光光度计测试铜箔氧化膜的吸光度,确定了铜箔表面氧化物层吸光度与厚度的关系。结果表明:预氧化温度在400 8 00℃,氧分压控制在100×10 –6 7 00×10 –6 ,铜箔表面生成一层氧化亚铜（Cu 2 O）层;在过高的预氧化温度和氧分压条件下,铜箔表面就会生成Cu O物相,而且氧化膜层变厚,表面疏松、局部出现氧化膜脱落,不利于DBC基板的制备。当氧分压为500×10 –6 ,预氧化时间为1 h,温度为600℃时,铜箔表面可以获得均匀致密的Cu 2 O薄膜,并且氧化膜与基体Cu结合紧密,有效提高DBC基板的结合性能。
是否译文：
否
发表时间：
2018-02-11
合写作者：
王彩霞,朱海洋,栾时勋,刘贺
通讯作者：
傅仁利
发表时间：
2018-02-11
学位：工学博士学位
职称：教授
所在单位：材料科学与技术学院