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个人信息Personal Information
教授 博士生导师
招生学科专业：
物理学 -- 【招收博士、硕士研究生】 -- 物理学院
电子信息 -- 【招收博士、硕士研究生】 -- 物理学院
性别：男
毕业院校：中国科学技术大学
学历：中国人民共和国科学技术大学
学位：理学博士学位
所在单位：物理学院
办公地点：理学院454办公室
联系方式：jiyufan@nuaa.edu.cn
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N型稀磁半导体Ge 0.96–x Bi x Fe 0.04 Te薄膜的磁电性质研究
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所属单位：理学院
发表刊物：物理学报
关键字：稀磁半导体;外延薄膜;Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用;铁磁有序态;
摘要：GeTe基稀磁半导体材料因具有可独立调控载流子浓度和磁性离子浓度的特性而受到广泛关注.本文利用脉冲激光沉积技术制备了该体系的单晶外延薄膜,并通过高价态Bi元素部分取代Ge元素的方法实现了材料中载流子类型从空穴向电子的转变,即制备出N型GeTe基稀磁半导体.测量结果表明,无论是室温还是低温下的Hall电阻曲线皆呈现负斜率,说明体系中载流子是电子;并且当Bi掺杂量达到32%时,电子浓度为10 21 /cm 3 .变温输运性质的测量证明体系的输运行为呈现半导体特征.通过测量低温10 K下的绝热磁化曲线,在高Bi掺杂体系中观测到了明显的铁磁行为,而低于32%Bi掺杂量的体系中未观察到.这一结果说明,高掺杂Bi的替代导致载流子浓度的增加,促进了载流子传递Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用,使得分散的Fe-Fe之间产生磁耦合作用,进而形成铁磁有序态.
是否译文：否
发表时间：2019-05-23
合写作者：冯瑜,陆地,张卫纯,胡大治,杨玉娥,汤如俊,洪波,凌浪生,王彩霞,马春兰,朱岩
通讯作者：樊济宇