High-performance STT-MRAM Logic-in-Memory Scheme Utilizing Data Read Features
- 发表刊物：17th ACM International Symposium on Nanoscale Architectures
- 论文类型：论文集
- 文献类型：C
- 是否译文：否
- 收录刊物：EI
- 合写作者：祝浩男,刘伟强
- 通讯作者：吴比
- 发表时间：2022-12-07
吴比 副研究员
入选 2025 年江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师。近 5 年，主持国家自然科学基金重点项目课题、国家/江苏省自然科学基金青年基金等科研项目 10 余项。在IEEE TCAS-I、TC、TR、TCAD、DAC、ICCAD等集成电路设计权威期刊和会议上发表科研论文 60 余篇（其中第一作者及通讯发表论文 20 余篇）。担任IEEE TCAS-I, IEEE TCAS-II, IEEE TC, TCAD与DAC, DATE等领域内权威期刊和会议的审稿人。主要从事新型存储器件、电路及系统架构研究，对于非易失性高速缓冲存储器电路及系统设计、基于新型存储器件的存内逻辑计算有深入研究。