Exploring potentials of NAND-like spintronics MRAM for cache design (Invited)
- 发表刊物:IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)
- 刊物所在地:Qingdao, China
- 论文类型:论文集
- 论文编号:978-1-5386-4441-6
- 学科门类:工学
- 一级学科:电子科学与技术
- 文献类型:C
- 是否译文:否
- 收录刊物:EI
- 发表时间:2018-12-06