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  • 秦海鸿 ( 研究员（特聘） ) 赞

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Analysis the Reverse Conduction Characteristic and Influence of Anti-parallel SiC SBD of eGaN HEMT

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所属单位：自动化学院
发表刊物：International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management
是否译文：否
发表时间：2019-08-01
合写作者：彭子和
通讯作者：秦海鸿

 

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