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所属单位：自动化学院
发表刊物：电工电能新技术
关键字：电力电子;SiCBJT;开关过程;加速电容;开关损耗;驱动损耗;
摘要：为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,碳化硅(针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC BJT的详细开关过程,分析了加速电容对SiC BJT开关损耗和驱动损耗的影响,推导出了加速电容对SiC BJT开关过程各阶段持续时间的数学关系。理论分析表明,随着加速电容的增大,SiC BJT的驱动损耗成比例上升,而对开关损耗的优化并不明显。实验测试了加速电容从3.3nF到94nF变化时SiC BJT的开关波形,并对加速电容变化时的SiC BJT的驱动损耗以及开关损耗进行了对比。实验结果表明,随着加速电容的增大,开关过程中的总损耗呈现先减小后增大的趋势,通过合理选取加速电容值,能够有效降低SiC BJT开关过程的总损耗。
ISSN号：1003-3076
是否译文：否
发表时间：2019-08-22
合写作者：莫玉斌,修强,王守一,史杭
通讯作者：秦海鸿