Affiliation of Author(s):自动化学院
Journal:中国科技论文
Key Words:电力电子;碳化硅;寄生电容;MOSFET;
Abstract:为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。
Translation or Not:no
Date of Publication:2017-12-08
Co-author:zhangying,朱梓悦,F70206220,fdf,赵朝会
Correspondence Author:Haihong Qin