Transient transition from free carrier metallic state to exciton insulating state in GaAs by ultrafast photoexcitation
发布时间:2021-01-14 点击次数:
所属单位:Beijing University of Technology
发表刊物:New J. Phys.
刊物所在地:England
论文类型:期刊论文
文献类型:J
卷号:20
页面范围:033015
是否译文:否
收录刊物:SSCI
发表时间:2018-03-26