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论文成果

Transient transition from free carrier metallic state to exciton insulating state in GaAs by ultrafast photoexcitation

发布时间:2021-01-14  点击次数:

所属单位:Beijing University of Technology

发表刊物:New J. Phys.

刊物所在地:England

论文类型:期刊论文

文献类型:J

卷号:20

页面范围:033015

是否译文:

收录刊物:SSCI

发表时间:2018-03-26

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